SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Cuando el silicio se encuentra formado
por átomos del tipo explicado en el apartado anterior, se
dice que se encuentra en estado puro o más usualmente que
es un semiconductor intrínseco
Una barra de silicio puro está formada
por un conjunto de átomos en lazados unos con otros
según una determinada estructura geométrica que se
conoce como red cristalina
Si en estas condiciones inyectamos
energía desde el exterior, algunos de esos electrones de
los órbitas externas dejarán de estar enlazados y
podrán moverse. Lógicamente si un electrón se desprende
del átomo, este ya no está completo, decimos que está
cargado positivamente, pues tiene una carga negativa
menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el
hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el
electrón.
El átomo siempre tendrá la tendencia
a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo
tanto en nuestro caso, intentará atraer un electrón de
otro átomo para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyección de energía exterior
produce pues un proceso continuo que podemos concretar en
dos puntos:
-
Electrones que se quedan libres y
se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor de silicio.
-
Aparición y desaparición de
huecos en los diversos átomos del semiconductor.
Queda así claro que el único
movimiento real existente dentro de un semiconductores el
de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y
desaparecer huecos, "cargas positivas", en
puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se
mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas.
Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso,.
Los huecos no se mueven, sólo parece que lo hacen.
Ahora bien, para facilitar el estudio
de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos
(cargas positivas), pues nos resulta más cómodo y los
resultados obtenidos son los mismos que los reales.
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